抢占研制制高点，半导体新材料有望弯道超车

抢占研制制高点，半导体新资料有望弯道超车

4月17—18日，第十五届我国电子信息技能年会在重庆两江新区举办，在18日举办的年会主论坛上，多位院士向在场的2000余名观众共享了未来电子信息工业开展的亮点、趋势，其间半导体新资料成为不少与会专家要点重视的内容。

宽禁带半导体已大规模使用

在我国加快推进碳达峰、碳中和的布景下，能大幅下降电力传输中能源耗费的宽禁带半导体正成为我国半导体职业研讨的要点。

我国科学院院士、我国电子学会副理事长、西安电子科技大学教授郝跃称，现在宽禁带半导体现已在轿车、健康等范畴得到了大规模使用。例如，在轿车范畴，运用宽禁带半导体之后，电动轿车可在相同电力驱动下行进更长的路程。

郝跃还猜测，6G通讯2030年或将会进入工业化，未来宽禁带半导体将开释巨大市场潜力和强壮开展动力。

为进一步占据宽禁带半导体研制的制高点，我国还在2020年景立了宽禁带半导体器材与集成电路国家工程研讨中心，现在现已在氮化镓半导体设备、氮化镓毫米波功率器材等多个范畴获得了技能打破。

“我国现已提出了‘3060碳排放方针’，也让宽禁带半导体有了愈加宽广的远景。当然咱们还需求不断尽力，在电力总量攀升的一起下降传输过程中的耗费，推进碳达峰、碳中和方针提前完成。”郝跃说。

碳基技能有望替代硅基技能

我国科学院院士、北京大学教授彭练矛表明，跟着芯片制作工艺迫临2纳米，硅基芯片资料的潜力已根本被发掘殆尽，无法满意职业未来进一步开展的需求，启用新资料是公认的从根本上处理芯片功能问题的出路。

彭练矛指出，碳纳米管具有完美的结构、超薄的导电通道、极高的载流子迁移率和稳定性，未来有望替代传统的硅基集成电路技能。面向后摩尔年代，我国现已根本处理碳纳米管面对的应战，完成了整套的碳纳米管集成电路和光电器材制备技能，一起也在碳纳米管的无掺杂技能研讨方面获得重大打破，使得我国在碳基芯片的基础研讨方面迈入全球开展前列。

想象未来，彭练矛以为碳基技能有望全方位影响现有半导体工业格式。我国应捉住这一前史机会，从资料开端，总结过往经历，经过开展碳基芯片，完成我国芯片的弯道超车。现有研讨已证明，碳基集成电路具有逾越硅基的潜力，亟待处理的则是工业范畴的工程性问题，完成技能的落地与实用化。