美研究人员开发GaN LED新式涂层 提高LED亮度

美国北卡罗来纳州立大学较新开发出了一种新技能，可以在不增加耗电量的情况下大幅度进步LED的亮度，一起还能带来更高的稳定性和适用性。这一技能相关的研讨文章已宣布在闻名的化学期刊《朗缪尔》上。
　　研讨的靠前作者为北卡罗来纳州立大学的斯图尔特·威尔金斯博士，他表明他们所选用的办法是在常用的GaNLED上增加膦酸组涂层。研讨人员首要选用多层自拼装技能来出产GaN，然后增加含有磷酸分子的有机磷，较后将其涂到GaN资料的外表。GaN可以改进LED的光效，膦酸组资料则可以保证GaN的稳定性，使其不易与环境中的物质产生反响。

“GaN的稳定性十分重要，”威尔金斯介绍说，“由于这将使其更有或许被应用到生物医学傍边，比方可植入型传感器。”
　　相关研讨显现，与一般硅资料LED比较，GaN可以进步LED的光输出量。在相同能耗的情况下，硅资料LED的光通量可以到达1000流明，而GaNLED则能到达2000流明。此外，GaNLED体积和质量更小，也更简单完成不同类型的集成。